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BCR 183W E6327

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  • 功能描述
  • 開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 配置
  • 晶體管極性
  • NPN/PNP
  • 典型輸入電阻器
  • 典型電阻器比率
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 200 mA
  • 最大工作頻率
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 集電極連續(xù)電流
  • 150 mA
  • 峰值直流集電極電流
  • 功率耗散
  • 200 mW
  • 最大工作溫度
  • 封裝
  • Reel
BCR 183W E6327 技術(shù)參數(shù)
  • BCR 183T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR 183L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSLP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:15,000 BCR 183F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應(yīng)商器件封裝:PG-TSFP-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR 183 B6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 BCR 179T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BCR 192 B6327 BCR 192F E6327 BCR 192L3 E6327 BCR 192T E6327 BCR 196F E6327 BCR 196L3 E6327 BCR 196T E6327 BCR 198F E6327 BCR 198L3 E6327 BCR 198T E6327 BCR 199F E6327 BCR 199L3 E6327 BCR 199T E6327 BCR 22PN H6727 BCR 401R E6327 BCR 402R E6327 BCR 402U E6433 BCR 48PN H6727
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