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BCR146L3

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  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • NPN Silicon Digital Transistor
BCR146L3 技術(shù)參數(shù)
  • BCR146E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):47k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):22k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BCR142WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR142WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR142E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):上次購買時間 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BCR142B6327HTLA1 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):22k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:30,000 BCR158E6327HTSA1 BCR158WE6327HTSA1 BCR158WH6327XTSA1 BCR162E6327HTSA1 BCR166B6327HTLA1 BCR166E6327HTSA1 BCR166E6433HTMA1 BCR166WE6327HTSA1 BCR166WH6327XTSA1 BCR169E6327HTSA1 BCR169SE6327BTSA1 BCR169SH6327XTSA1 BCR169WE6327HTSA1 BCR169WH6327XTSA1 BCR16CM-12LB#BB0 BCR16CM-12LC#BB0 BCR16CM-16LB#BB0 BCR16CM-16LH#BB0
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