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BS-C344RD

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  • BS-C344RD
    BS-C344RD

    BS-C344RD

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • LED BRIGHT

  • DIP

  • 13+

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  • BS-C344RD
    BS-C344RD

    BS-C344RD

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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  • BS-C344RD
    BS-C344RD

    BS-C344RD

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • LEDBRIGHT

  • DIP

  • 13+

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  • 制造商
  • BRIGHT
  • 制造商全稱
  • BRIGHT LED ELECTRONICS CORP
  • 功能描述
  • 0.39(10.00MM)single DIGIT LED DISPLAY
BS-C344RD 技術(shù)參數(shù)
  • BSC340N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Ta),23A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):34 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 12μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):756pF @ 40V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC320N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):36A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):29nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2350pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):125W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 36A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC320N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):36A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2350pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC265N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.5A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):26.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 43μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1600pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC252N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7.2A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25.2 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 43μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1100pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB
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