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BS170FTC

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • BS170FTC
    BS170FTC

    BS170FTC

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Diodes

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共11條 
  • 1
BS170FTC PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-Chnl 60V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BS170FTC 技術(shù)參數(shù)
  • BS170FTA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):60pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號(hào):BS170 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號(hào):BS170 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170-D27Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號(hào):BS170 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):40pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 基本零件編號(hào):BS170 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS170RLRPG BS170ZL1G BS-175.000MBB-T BS-175.000MBC-T BS-175.000MCB-T BS-175.000MCC-T BS-187.500MBB-T BS-187.500MBC-T BS-187.500MCB-T BS-187.500MCC-T BS18-C BS18-L BS18-M BS1-IC BS-1S-1 BS1SSL16999XW BS-1T BS-1T CHITAN
配單專家

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