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BS170RLRAGOS

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  • BS170RLRAGOS
    BS170RLRAGOS

    BS170RLRAGOS

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 3200

  • ON Semiconductor

  • ROHS

  • 1308+

  • -
  • 全新原裝現貨庫存!400-800-030...

  • BS170RLRAGOS
    BS170RLRAGOS

    BS170RLRAGOS

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 6755

  • ON Semiconductor

  • TO-92

  • 201321

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存。400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BS170RLRAGOS PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BS170RLRAGOS 技術參數
  • BS170RLRAG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 BS170RLRA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:10 BS170RL1G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 BS170PSTOB 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 10V 功率 - 最大值:625mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line(TO-92 兼容) 標準包裝:2,000 BS170PSTOA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):270mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):60pF @ 10V 功率 - 最大值:625mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E-Line-3 供應商器件封裝:E-Line(TO-92 兼容) 標準包裝:2,000 BS-187.500MBC-T BS-187.500MCB-T BS-187.500MCC-T BS18-C BS18-L BS18-M BS1-IC BS-1S-1 BS1SSL16999XW BS-1T BS-1T CHITAN BS-1T HAS B BS-1T HAS C BS-1T SUS316 BS1USB BS-200.000MBB-T BS-200.000MBC-T BS-200.000MCB-T
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