BSF1205RHSU470MT

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BSF1205RHSU470MT
汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司
汕頭市潮南區(qū)海特旺電子貿(mào)易有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0754-84492320
地址：廣東省汕頭市潮南區(qū)陳店鎮(zhèn)溪口九斗花園旁
632000
King Core
SMD
2020+
-
全新原裝正品

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BSF1205RHSU470MT 技術(shù)參數(shù)

BSF083N03LQ G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），53A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 15V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSF077N06NT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13A（Ta），56A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.7 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 33μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3700pF @ 30V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSF053N03LT G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSF050N03LQ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 15V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSF045N03MQ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），63A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 15V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A