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BSF20/G1P

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BSF20/G1P 技術(shù)參數(shù)
  • BSF134N10NJ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),40A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2300pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.2W(Ta),43W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13.4 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSF134N10NJ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13.4 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 50V 功率 - 最大值:43W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:1 BSF083N03LQ G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),53A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 15V 功率 - 最大值:36W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSF077N06NT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),56A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.7 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 33μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3700pF @ 30V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:1 BSF053N03LT G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):16A(Ta),71A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.3 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2700pF @ 15V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2
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