BSG640N5

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSG640N5
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
PHILIPS
標準封裝
08+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

BSG640N5
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
PHILIPS
標準封裝
08+
-

1/1頁 40條/頁共2條
1

您是不是要找： BSH-020-01-C-D-A BSH-020-01-F-D BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR

BSG640N5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSG640N5 技術(shù)參數(shù)

BSG0813NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A， 33A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 155°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:5,000 BSG0811NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A， 41A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:1 BSG0810NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A， 39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 12V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 155°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:5,000 BSF-HD 功能描述:9V FEMALE SNAP 4-SIDED HVY-DUTY 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態(tài):有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單）樣式:觸點，卡入式（正極）電池尺寸:9V 電池數(shù):- 電池系列:- 安裝類型:自定義端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標準包裝:1,000 BSF450NE7NH3XUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta），15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 8μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:390pF @ 37.5V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:5,000 BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2 BSH-030-01-F-D-LC BSH-030-01-F-D-LC-TR BSH-030-01-F-D-RA-WT BSH-030-01-F-D-RA-WT-GP BSH-030-01-F-D-TR