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BSR-H-48SP

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
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  • BSR-H-48SP
    BSR-H-48SP

    BSR-H-48SP

  • 深圳市特瑞斯科技有限公司
    深圳市特瑞斯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話(huà)：0755-8277481983249326

    地址：銷(xiāo)售一部：華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)501棟401室 銷(xiāo)售二部：深圳市福田區(qū)紅荔路上航大廈411室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5052

  • NAKAYO

  • 原裝

  • 20+

  • -

  • 繼電器現(xiàn)貨，量大可發(fā)貨

  • BSR-H-48SP
    BSR-H-48SP

    BSR-H-48SP

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共2條 
  • 1
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BSR-H-48SP 技術(shù)參數(shù)
  • BSR92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:140mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 歐姆 @ 140mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:109pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSR92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:140mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 歐姆 @ 140mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:109pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSR802NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.7A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.7nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1447pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.7A，2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-59 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSR802N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.7A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.7A，2.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1447pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSR606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 2.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SC-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D BSS-050-01-F-D-A BSS-050-01-F-D-A-TR
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