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BSR92PL6327XT

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  • BSR92PL6327XT
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  • 深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
    深圳市貿(mào)盛微電子有限公司

    聯(lián)系人:周先生

    電話:0755-8220875218127068687

    地址:深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • Infineon

  • 10+

  • -
  • 專業(yè)經(jīng)銷,原裝正品

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BSR92PL6327XT 技術參數(shù)
  • BSR92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):140mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 歐姆 @ 140mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):109pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:3,000 BSR92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):140mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 歐姆 @ 140mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):109pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR802NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.7A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):4.7nC @ 2.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1447pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 3.7A,2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SC-59 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 BSR802N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23 毫歐 @ 3.7A,2.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1447pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,OptiMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):60 毫歐 @ 2.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 15μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D BSS-050-01-F-D-A BSS-050-01-F-D-A-TR
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