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BSS138CT

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    BSS138CT

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • SOT-23

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BSS138CT 技術(shù)參數(shù)
  • BSS138BKW-BX 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 320MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):320mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 320mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SC-70 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS138BKW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):320mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):260mW(Ta),830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 320mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138BKVL 功能描述:MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):360mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 350mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BSS138BKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):320mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 320mA,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V 功率 - 最大值:445mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138BK,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):360mA(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):56pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta),1.14W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 350mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS138LT1G BSS138LT3 BSS138LT3G BSS138N E6433 BSS138N E6908 BSS138N E7854 BSS138N E8004 BSS138N-E6327 BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6433XTMA1 BSS138NL6327HTSA1 BSS138NL6433HTMA1 BSS138P,215 BSS138PS,115 BSS138PW,115 BSS138Q-7-F BSS138TA BSS138TC
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