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BSS209PW L6327

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  • BSS209PW L6327
    BSS209PW L6327

    BSS209PW L6327

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 65000

  • INFINEON/英飛凌

  • SOT-323

  • 12+

  • -

  • ★★★真實庫存，假一賠十，原廠授權★★★

  • BSS209PW L6327
    BSS209PW L6327

    BSS209PW L6327

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • INFINEON/英飛凌

  • SOT-323

  • 21+原廠授權

  • -

  • ★原廠授權★價超代理★

  • BSS209PW L6327
    BSS209PW L6327

    BSS209PW L6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Infineon

  • PG-SOT323

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共23條 
  • 1
BSS209PW L6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH -20 V -.58 A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSS209PW L6327 技術參數(shù)
  • BSS209PW 功能描述:MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:580mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 580mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.38nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:89.9pF @ 15V 功率 - 最大值:520mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BSS205NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS205NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:419pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSS205N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 2.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 11μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:419pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BSS192PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 歐姆 @ 190mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:104pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS223PW L6327 BSS223PWH6327XTSA1 BSS225 BSS225H6327FTSA1 BSS225H6327XTSA1 BSS225L6327HTSA1 BSS306N H6327 BSS306NH6327XTSA1 BSS306NL6327HTSA1 BSS308PE H6327 BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEL6327HTSA1 BSS314PE H6327 BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEL6327HTSA1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1
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