BTS247Z E3062A

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

BTS247Z E3062A
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
7783
TO263-5
-

BTS247Z E3062A
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

BTS247Z E3062A
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
9800
Infineon Technologies
TO-220-5
19+
-
代理直銷！進(jìn)口原裝正品！

1/1頁 40條/頁共19條
1

您是不是要找： BTS247ZAKSA1 BTS247ZE3043AKSA1 BTS247ZE3062AATMA2 BTS282Z E3180A BTS282Z E3230 BTS282ZAKSA1 BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3230AKSA2 BTS3018TCATMA1

BTS247Z E3062A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

BTS247Z E3062A PDF下載

功能描述
MOSFET TEMPFET
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BTS247Z E3062A 技術(shù)參數(shù)

BTS245A 功能描述:Hex Standoff Threaded #8-32 Brass 1.500" (38.10mm) 1 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效類型:六角支座有絲/無絲:有螺紋公母:公頭，母頭螺釘，螺紋規(guī)格:#8-32 直徑 - 內(nèi)部:- 直徑 - 外部:0.250"（6.35mm） 1/4" 六角形板間高度:1.500"（38.10mm）1 1/2" 長度 - 總:1.875"（47.63mm）1 7/8" 特性:- 材料:黃銅鍍層:鎳顏色:- 重量:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 BTS244ZNKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-5 成形引線供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS244ZE3062AATMA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO263-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS244ZE3043AKSA2 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-220-5 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 BTS244Z E3062A 功能描述:MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:溫度保護(hù) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 130μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:130nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2660pF @ 25V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-5，D2Pak（4 引線+接片），TO-263BB 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-5-62 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BTS3028SDLATMA1 BTS3028SDRATMA1 BTS3035EJXUMA1 BTS3035TFATMA1 BTS3046SDLATMA1 BTS3046SDRATMA1 BTS3050EJXUMA1 BTS3050TFATMA1 BTS3060TFATMA1 BTS307 E3062A BTS307E3043 BTS307E3062ABUMA1 BTS308 E3059 BTS308 E3062A BTS3080EJXUMA1 BTS3080TFATMA1 BTS3104SDLATMA1 BTS3104SDRATMA1