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CRZ13(TE85L,Q)

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  • CRZ13(TE85L,Q)
    CRZ13(TE85L,Q)

    CRZ13(TE85L,Q)

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • TOSHIBA/東芝

  • SOD-123F

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
CRZ13(TE85L,Q) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 Diode Zener 13V .7W
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
CRZ13(TE85L,Q) 技術參數(shù)
  • CRZ12(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:3,000 CRZ12(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 12V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:3,000 CRZ11(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:3,000 CRZ11(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 11V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):11V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:3,000 CRZ10(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標準包裝:3,000 CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F CS00 CS00094AC-J5-DCC-32.7707 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707
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