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CSD86330EVM-717

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  • CSD86330EVM-717
    CSD86330EVM-717

    CSD86330EVM-717

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標準封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD86330EVM-717
    CSD86330EVM-717

    CSD86330EVM-717

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 百分百原裝 假一罰十

  • CSD86330EVM-717
    CSD86330EVM-717

    CSD86330EVM-717

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 品牌IC供應商 電話010-621049...

  • CSD86330EVM-717
    CSD86330EVM-717

    CSD86330EVM-717

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD86330EVM-717
    CSD86330EVM-717

    CSD86330EVM-717

  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場1713室

  • 8900

  • TI

  • 18+

  • -

  • 只做全新原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
CSD86330EVM-717 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 電源管理IC開發(fā)工具 CSD86330Q3D Eval Mod
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Maxim Integrated
  • 產品
  • Evaluation Kits
  • 類型
  • Battery Management
  • 工具用于評估
  • MAX17710GB
  • 輸入電壓
  • 輸出電壓
  • 1.8 V
CSD86330EVM-717 技術參數(shù)
  • CSD86311W1723 功能描述:MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 2A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:585pF @ 12.5V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:12-UFBGA，DSBGA 供應商器件封裝:12-DSBGA（1.53x1.98） 標準包裝:1 CSD85312Q3E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2?N 溝道（雙）共源 FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:39A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.4 毫歐 @ 10A，8V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSON（3.3x3.3） 標準包裝:1 CSD85302LT 功能描述:MOSFET 2N-CH 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFLGA 供應商器件封裝:4-Picostar（1.31x1.31） 標準包裝:1 CSD85302L 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:- 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-XFLGA 供應商器件封裝:4-Picostar（1.31x1.31） 標準包裝:1 CSD85301Q2T 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平柵極，5V 驅動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:469pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON（2x2） 標準包裝:1 CSD87333Q3D CSD87333Q3DT CSD87334Q3D CSD87334Q3DT CSD87335Q3D CSD87335Q3DT CSD87350Q5D CSD87351Q5D CSD87351ZQ5D CSD87352Q5D CSD87353Q5D CSD87355Q5D CSD87355Q5DT CSD87381P CSD87381PEVM-603 CSD87381PT CSD87384M CSD87384MEVM-603
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