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JAN1N3019B

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  • 封裝
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  • JAN1N3019B-1
    JAN1N3019B-1

    JAN1N3019B-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AL

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JAN1N3019B
    JAN1N3019B

    JAN1N3019B

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 223

  • MSC

  • 87

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • JAN1N3019B-1
    JAN1N3019B-1

    JAN1N3019B-1

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 9.1V 1W

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
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  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 1 WATT METAL CASE ZENER DIODES
JAN1N3019B 技術參數(shù)
  • JAN1N3018DUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標準包裝:1 JAN1N3018D-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3018CUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標準包裝:1 JAN1N3018C-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JAN1N3018BUR-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:4.5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標準包裝:1 JAN1N3020CUR-1 JAN1N3020D-1 JAN1N3020DUR-1 JAN1N3021B-1 JAN1N3021BUR-1 JAN1N3021C-1 JAN1N3021CUR-1 JAN1N3021D-1 JAN1N3021DUR-1 JAN1N3022B-1 JAN1N3022BUR-1 JAN1N3022C-1 JAN1N3022CUR-1 JAN1N3022D-1 JAN1N3022DUR-1 JAN1N3023B-1 JAN1N3023BUR-1 JAN1N3023C-1
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