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JAN1N4458

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  • JAN1N4458
    JAN1N4458

    JAN1N4458

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-203AA

  • 23+

  • -
  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • JAN1N4458
    JAN1N4458

    JAN1N4458

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • MICROSEMI

  • DO-4

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
JAN1N4458 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STD RECOVERY RECTFR 800V 5A 2PIN DO-4 - Bulk
JAN1N4458 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N4454UR-1 功能描述:Diode Standard 50V 4A Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/144 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4454-1 功能描述:Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/144 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號(hào) =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4372DUR-1 功能描述:Zener Diode 3V ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4372D-1 功能描述:Zener Diode 3V ±1% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3V 容差:±1% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4372CUR-1 功能描述:Zener Diode 3V ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/127 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):3V 容差:±2% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4461 JAN1N4461C JAN1N4461CUS JAN1N4461D JAN1N4461DUS JAN1N4461US JAN1N4462 JAN1N4462C JAN1N4462CUS JAN1N4462D JAN1N4462DUS JAN1N4462US JAN1N4463 JAN1N4463C JAN1N4463CUS JAN1N4463D JAN1N4463DUS JAN1N4463US
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