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NP3100SDMCT3G

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • NP3100SDMCT3G
    NP3100SDMCT3G

    NP3100SDMCT3G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ON Semiconductor

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • NP3100SDMCT3G
    NP3100SDMCT3G

    NP3100SDMCT3G

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷(xiāo)售部經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號(hào)/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 256

  • ON Semiconductor

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 23+

  • -

  • 真實(shí)的資源竭誠(chéng)服務(wù)您！

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共2條 
  • 1
NP3100SDMCT3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 硅對(duì)稱二端開(kāi)關(guān)元件 LOW CAP TSPD SURGE DEVICE
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Bourns
  • 轉(zhuǎn)折電流 VBO
  • 40 V
  • 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO
  • 800 mA
  • 不重復(fù)通態(tài)電流
  • 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM
  • 25 V
  • 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）
  • 保持電流（Ih 最大值）
  • 50 mA
  • 開(kāi)啟狀態(tài)電壓
  • 5 V
  • 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO
  • 120 pF
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AA
NP3100SDMCT3G 技術(shù)參數(shù)
  • NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:30 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級(jí):- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:1kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長(zhǎng) x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP3500SBMCT3G NP3500SBT3G NP3500SCG NP3500SCMCT3G NP3500SCT3G NP35N04YUG-E1-AY NP36N055SHE-E1-AY NP36N055SLE-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY NP36P06KDG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY N-P-3DV(40) NP3-MQ000B NP40N055KLE-E1-AY NP40N055MLE-S18-AY NP40N055NLE-S18-AY NP40N10PDF-E1-AY
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