NP32N055SHE-E1-AY

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操作

NP32N055SHE-E1-AY
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NEC/RENESAS
TO-252
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

NP32N055SHE-E1-AY
甄芯網(wǎng)
甄芯網(wǎng)
聯(lián)系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質：營業(yè)執(zhí)照
10000
N
TO252
13+
-
不止網(wǎng)址數(shù)量.以電話為準

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功能描述
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
RoHS
是
類別
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
-
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

NP32N055SHE-E1-AY 技術參數(shù)

NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:繞線材料 - 磁芯:鐵氧體電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:30 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:非標準大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm）標準包裝:10 NP3500SCMCT3G NP3500SCT3G NP35N04YUG-E1-AY NP36N055SHE-E1-AY NP36N055SLE-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY NP36P06KDG-E1-AY NP36P06SLG-E1-AY N-P-3DV(40) NP3-MQ000B NP40N055KLE-E1-AY NP40N055MLE-S18-AY NP40N055NLE-S18-AY NP40N10PDF-E1-AY NP40N10YDF-E1-AY NP4-12 NP48N055KLE-E1-AY