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PH6030AL,115

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠(chǎng)商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PH6030AL,115
    PH6030AL,115

    PH6030AL,115

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話(huà)：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-82813018

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

  • 13+

  • -

  • 全新原裝正品 歡迎來(lái)電0755-8286...

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  • 1
PH6030AL,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 30V 75A N-CH MOSFETs
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PH6030AL,115 技術(shù)參數(shù)
  • PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH50S280-15 功能描述:Isolated Module DC DC Converter 1 Output 15V 3.4A 200V - 400V Input 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-S 包裝:- 零件狀態(tài):在售 類(lèi)型:隔離模塊 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:200V 電壓 - 輸入（最大值）:400V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:3.4A 功率（W） - 制造系列:50W 電壓 - 隔離:3kV（3000V） 應(yīng)用:ITE（商業(yè)） 特性:遠(yuǎn)程開(kāi)/關(guān)，OCP，OTP，OVP 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:模塊 大小/尺寸:3.85" 長(zhǎng) x 2.83" 寬 x 0.50" 高（86.0mm x 72.0mm x 12.7mm） 工作溫度:-20°C ~ 85°C 效率:- 功率（W） - 最大值:50W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH4840S,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:94.5A（Tc） 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3660pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH4530L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:23.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1972pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH3N-76.2-25.4-0.07-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:散熱片 冷卻封裝:分類(lèi)（BGA，LGA，CPU，ASIC……） 接合方法:膠合劑 形狀:矩形 長(zhǎng)度:3.000"（76.20mm） 寬度:1.000"（25.40mm） 直徑:- 離基底高度（鰭片高度）:0.003"（0.07mm） 不同溫升時(shí)功率耗散:- 不同強(qiáng)制氣流時(shí)的熱阻:- 自然條件下熱阻:- 材料:銅 材料鍍層:聚酯 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PH7030L,115 PH7-261 PH7261G PH7264H PH7323H PH7323L PH7324H PH7324K PH7513P PH7523P PH7523R PH75A28012 PH75A28015 PH75A28024 PH75A28028 PH75A2803.3 PH75A28048 PH75A2805
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