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STB1109-220

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    STB1109-220

    STB1109-220

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • 原廠

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共5條 
  • 1
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STB1109-220 技術(shù)參數(shù)
  • STB10NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1370pF @ 25V 功率 - 最大值:115W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB10N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):800 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):630pF @ 100V 功率 - 最大值:130W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB10N65K3 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 3.6A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1180pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):400pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB1060TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:850μA @ 60V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB120N10F4 STB120N4F6 STB120N4LF6 STB120NF10T4 STB12100TR STB12-2-2 STB12-7-7 STB12NK80ZT4 STB12NM50FDT4 STB12NM50N STB12NM50ND STB12NM50T4 STB12NM60N STB12NM60N-1 STB13005-1 STB13007DT4 STB130N6F7 STB130NS04ZBT4
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