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STGB7NB60MDT4

配單專家企業(yè)名單

型號
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數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGB7NB60MDT4
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
ST
原廠原裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

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您是不是要找： STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4

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功能描述
IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB7NB60MDT4 技術(shù)參數(shù)

STGB7NB60HDT4 功能描述:IGBT 600V 14A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):56A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.8V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 開關(guān)能量:85μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:42nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:15ns/75ns 測試條件:480V，7A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:100ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):28A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，7A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:99μJ（開），100μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:46nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:30ns/160ns 測試條件:400V，7A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:136ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB6NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關(guān)能量:20μJ（開），68μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB6NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關(guān)能量:20μJ（開），68μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB6NC60HD-1 功能描述:IGBT 600V 15A 56W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關(guān)能量:20μJ（開），68μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ STGD20N40LZ STGD20N45LZAG STGD25N40LZAG STGD3HF60HDT4 STGD3NB60FT4 STGD3NB60HDT4 STGD3NB60SD-1 STGD3NB60SDT4 STGD3NC120H-1