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STL4164

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    STL4164

    STL4164

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

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STL4164 技術參數(shù)
  • STL40N75LF3 功能描述:MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL40N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1270pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL40DN3LLH5 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):475pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL40C30H3LL 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):40A,30A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最小) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):475pF @ 24V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL3NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):650mA(Ta),2.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):188pF @ 50V 功率 - 最大值:22W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標準包裝:1 STL4N10F7 STL4N80K5 STL4P2UH7 STL4P3LLH6 STL50DN6F7 STL50N6F7 STL50NH3LL STL51N3LLH5 STL52N25M5 STL55NH3LL STL56N3LLH5 STL57N65M5 STL58N3LLH5 STL5N80K5 STL-600-3-01 STL-600-8-01 STL60N10F7 STL60N32N3LL
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