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STL50N6F7

配單專家企業(yè)名單
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  • STL50N6F7
    STL50N6F7

    STL50N6F7

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：135-3814-2003

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 9319

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -

  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • STL50N6F7
    STL50N6F7

    STL50N6F7

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN5X6

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠，正品保證

  • STL50N6F7
    STL50N6F7

    STL50N6F7

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-8279802015814679726（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 30000

  • ST/意法

  • NA

  • 21+

  • -

  • 原廠授權(quán)，價(jià)格超越代理！

  • STL50N6F7
    STL50N6F7

    STL50N6F7

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯(lián)系人：王女士

    電話：13969210552

    地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈505（京北通宇）

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4500

  • STMICROELECTRONICS

  • NA

  • 近兩年

  • -

  • 查貨可到京北通宇商城www.jbchip...

  • STL50N6F7
    STL50N6F7

    STL50N6F7

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 88

  • ST

  • 8-PQFN

  • 21+

  • -

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
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STL50N6F7 技術(shù)參數(shù)
  • STL50DN6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:57A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1035pF @ 30V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL4P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:510pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:175pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL4N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.5A（Ta），18A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 2.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:408pF @ 50V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL-600-8-01 STL60N10F7 STL60N32N3LL STL60N3LLH5 STL60NH3LL STL60P4LLF6 STL-6-250-3-01 STL-6-250-8-01 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5 STL-6-600-3-01 STL-6-600-8-01 STL66DN3LLH5
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