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STL51005N

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STL51005N
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室
2520
INF
原廠標準封裝
n/a
-
原裝現(xiàn)貨特價，停產偏冷優(yōu)勢供應！數量需確...

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您是不是要找： STL51N3LLH5 STL52N25M5 STL55NH3LL STL56N3LLH5 STL57N65M5 STL58N3LLH5 STL5N80K5 STL-600-3-01 STL-600-8-01

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
- Bulk

STL51005N 技術參數

STL50NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 6.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:965pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:1 STL50DN6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:57A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1035pF @ 30V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:639pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標準包裝:1 STL4P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 2A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:510pF @ 10V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標準包裝:1 STL4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:175pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL60N10F7 STL60N32N3LL STL60N3LLH5 STL60NH3LL STL60P4LLF6 STL-6-250-3-01 STL-6-250-8-01 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5 STL-6-600-3-01 STL-6-600-8-01 STL66DN3LLH5 STL66N3LLH5