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STL71L

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  • STL71L
    STL71L

    STL71L

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-92

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • STL71L
    STL71L

    STL71L

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO92

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  • 1
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STL71L 技術(shù)參數(shù)
  • STL70N4LLF5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(6x5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL70N10F3 功能描述:MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):82A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.4 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3210pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL6P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):920 毫歐 @ 2.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):420pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFLAT?(5x5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):283pF @ 24V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL7DN6LF3 STL7LN80K5 STL7N10F7 STL7N60M2 STL7N6F7 STL7N6LF3 STL7N80K5 STL7NM60N STL80N3LLH6 STL80N4LLF3 STL80N75F6 STL-8-250-12-01 STL-8-250-16-01 STL-8-250-20-01 STL-8-250-3-01 STL-8-250-8-01 STL-8-350-12-01 STL-8-350-16-01
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