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STU11NB60

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • STU11NB60
    STU11NB60

    STU11NB60

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  •  

  • 0

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • STU11NB60
    STU11NB60

    STU11NB60

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：1331648214918276240346

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • TO

  • 22+

  • -

  • 十年配單，只做原裝

  • STU11NB60
    STU11NB60

    STU11NB60

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • STU11NB60
    STU11NB60

    STU11NB60

  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    聯(lián)系人：李小姐/肖先生

    電話：0755-8257149682571956

    地址：賽格廣場69樓6900

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 10215

  • ST

  • MAX220

  • 21+

  • -

  • ★假一賠十!絕對原裝現(xiàn)貨市場最低價(jià)！★

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600V - 0.5ohm - 11A - Max220 PowerMESH MOSFET
STU11NB60 技術(shù)參數(shù)
  • STU11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:670 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:410pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU10P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 48V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:IPAK（TO-251） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STU10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:13.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:400pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 STTS75M2F 功能描述:SENSOR TEMPERATURE SMBUS 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 傳感器類型:數(shù)字，本地 檢測溫度 - 本地:-55°C ~ 125°C 檢測溫度 - 遠(yuǎn)程:- 輸出類型:I2C/SMBus 電壓 - 電源:2.7 V ~ 5.5 V 分辨率:11 b 特性:單觸發(fā)，輸出開關(guān)，可編程極限，可編程分辨率，待機(jī)模式 精度 - 最高（最低）:±2°C（±3°C） 測試條件:-25°C ~ 100°C（-55°C ~ 125°C） 工作溫度:-55°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STU16N65M2 STU16N65M5 STU1HN60K3 STU27N3LH5 STU2LN60K3 STU2N105K5 STU2N62K3 STU2N80K5 STU2N95K5 STU2NK100Z STU3LN62K3 STU3LN80K5 STU3N45K3 STU3N62K3 STU3N65M6 STU3N80K5 STU40N2LH5 STU4N52K3
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