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STW26NM60-H

配單專家企業(yè)名單
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  • 操作
  • STW26NM60-H
    STW26NM60-H

    STW26NM60-H

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • STM

  • 市場(chǎng)最低價(jià)

  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STW26NM60-H
    STW26NM60-H

    STW26NM60-H

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • STM

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • STW26NM60-H
    STW26NM60-H

    STW26NM60-H

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • TO-247

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • STW26NM60-H
    STW26NM60-H

    STW26NM60-H

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人:優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 23339

  • 原廠

  • SMD

  • 22+

  • -
  • 授權(quán)分銷商,可追溯原廠可含稅

  • 1/1頁 40條/頁 共35條 
  • 1
STW26NM60-H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
STW26NM60-H 技術(shù)參數(shù)
  • STW26NM60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):135 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):102nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2900pF @ 25V 功率 - 最大值:313W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW26NM50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):106nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3000pF @ 25V 功率 - 最大值:313W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW25NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW25NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STW25NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):140 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2565pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW28NM60ND STW29NK50Z STW29NK50ZD STW3040 STW30N20 STW30N65M5 STW30N80K5 STW30NF20 STW30NM50N STW30NM60D STW30NM60N STW30NM60ND STW31N65M5 STW32N65M5 STW32NM50N STW33N60DM2 STW33N60M2 STW34N65M5
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