1SV273

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制造商
TOSHIBA
制造商全稱
Toshiba Semiconductor
功能描述
TOSHIBA VARIABLE CAPACITANCE DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE

1SV273 技術(shù)參數(shù)

1SV270TPH3F 功能描述:DIODE VARICAP VCO UHF USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:8.7pF @ 4V，1MHz 電容比:2 電容比條件:C1/C4 電壓 - 峰值反向（最大值）:10V 二極管類型:單一不同 Vr，F(xiàn) 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 標準包裝:1 1SV267-TB-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 1 對串聯(lián) 電壓 - 峰值反向（最大值）:50V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:2.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 1SV264-TL-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 1 對串聯(lián) 電壓 - 峰值反向（最大值）:50V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.4pF @ 50V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:4.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 1SV263-TL-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA SGL MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:50V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.4pF @ 50V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:4.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:100mW 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:3-MCP 標準包裝:3,000 1SV251-TB-E 功能描述:DIODE PIN 50V 50MA DUAL MCP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效二極管類型:PIN - 1 對串聯(lián) 電壓 - 峰值反向（最大值）:50V 電流 - 最大值:50mA 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:0.23pF @ 50V，1MHz 不同?If，F(xiàn) 時的電阻:4.5 歐姆 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:3,000 1SV305,H3F 1SV307(TPH3,F) 1SV308(TH3,F) 1SV308,L3F 1SV310TPH3F 1SV311(TPH3,F) 1SV314(TPL3,F) 1SV315-TL-E 1SV322(TPH3,F) 1SV323,H3F 1SV324TPH3F 1SV325,H3F 1SWHT 1SX250LH2F55E1VG 1SX250LH2F55E2LG 1SX250LH2F55E2VG 1SX250LH2F55I1VG 1SX250LH2F55I2LG