AO4712

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
SRFET™
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AO4712 技術參數

AO4710L_101 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:43nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體）功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.8 毫歐 @ 12.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）標準包裝:3,000 AO4710 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11.8 毫歐 @ 12.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2376pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4708 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.7 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:52nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3360pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4706 功能描述:MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.8 毫歐 @ 16.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:77nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5000pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4701 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式）漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:952pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 AO4771L AO4772 AO4800B AO4800L AO4801A AO4801AL AO4801AL_001 AO4801AS AO4801HL AO4801L AO4803A AO4803AL AO4803L AO4805 AO4805L_101 AO4806 AO4806L AO4807