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AOD4102

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
AOD4102 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 19A TO-252
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOD4102 技術(shù)參數(shù)
  • AOD409 功能描述:MOSFET P-CH 60V 26A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):26A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3600pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:1 AOD407 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):115 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1185pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:1 AOD403L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:1 AOD403_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),70A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.2 毫歐 @ 20A,20V 工作溫度:-55°C ~ 155°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:2,500 AOD403_030 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Ta),70A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3500pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),90W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.2 毫歐 @ 20A,20V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:2,500 AOD4132L AOD4136 AOD4136L AOD413A AOD413A_002 AOD4144_002 AOD4144_003 AOD4146 AOD4158 AOD4158P AOD4160 AOD4162 AOD417 AOD418 AOD4180 AOD4182 AOD4184A AOD4185
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