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BUK98150-55A

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 55V 5.5A SOT223
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N CH 55V 5.5A SOT223
BUK98150-55A 技術(shù)參數(shù)
  • BUK98150-55/CUF 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:8.3W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK98150-55,135 功能描述:MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 5A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:330pF @ 25V 功率 - 最大值:8.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-73 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK969R3-100E,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:94.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:11650pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK969R0-60E,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:4350pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:137W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK968R3-40E,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.4 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BUK9875-100A/CUX BUK9880-55,135 BUK9880-55/CUF BUK9880-55A,115 BUK9880-55A/CUX BUK9907-40ATC,127 BUK9907-55ATE,127 BUK9C07-65BIT,118 BUK9C1R3-40EJ BUK9C2R2-60EJ BUK9C3R8-80EJ BUK9C5R3-100EJ BUK9D23-40EX BUK9E04-30B,127 BUK9E04-40A,127 BUK9E06-55A,127 BUK9E06-55B,127 BUK9E08-55B,127
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