STGB10NC60KDT4

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STGB10NC60KDT4
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號(hào) 富源商貿(mào)中心D棟601
1000
STM
ORIGONAL
16+
-
0.62422 USD,szpoweri...

2/2頁 40條/頁共59條
上一頁 1 2

您是不是要找： STGB10NC60KT4 STGB12NB60KDT4 STGB14NC60KDT4 STGB14NC60KT4 STGB15H60DF STGB15M65DF2 STGB18N40LZ-1 STGB18N40LZT4 STGB19NC60HDT4

STGB10NC60KDT4 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STGB10NC60KDT4 PDF下載

功能描述
IGBT 晶體管 N-channel MOSFET
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB10NC60KDT4 技術(shù)參數(shù)

STGB10NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 20A 65W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:65W 開關(guān)能量:31.8μJ（開），95μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:19.2nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:14.2ns/72ns 測(cè)試條件:390V，5A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB10NB60ST4 功能描述:IGBT 600V 29A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:29A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.75V @ 15V，10A 功率 - 最大值:80W 開關(guān)能量:600μJ（開），5mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:33nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:700ns/1.2μs 測(cè)試條件:480V，10A，1 千歐，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB10NB40LZT4 功能描述:IGBT 440V 20A 150W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:440V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:150W 開關(guān)能量:2.4mJ（開），5mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:1.3μs/8μs 測(cè)試條件:328V，10A，1 千歐，5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB10NB37LZT4 功能描述:IGBT 440V 20A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:440V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:125W 開關(guān)能量:2.4mJ（開），5mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:1.3μs/8μs 測(cè)試條件:328V，10A，1 千歐，5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB10NB37LZ 功能描述:IGBT 440V 20A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:440V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.8V @ 4.5V，10A 功率 - 最大值:125W 開關(guān)能量:2.4mJ（開），5mJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:28nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:1.3μs/8μs 測(cè)試條件:328V，10A，1 千歐，5V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STGB19NC60KDT4 STGB19NC60KT4 STGB19NC60WT4 STGB20H60DF STGB20M65DF2 STGB20N40LZ STGB20N45LZAG STGB20NB32LZ STGB20NB37LZ STGB20NB37LZT4 STGB20NB41LZT4 STGB20NC60V STGB20NC60VT4 STGB20V60DF STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB