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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

STGB7NB40LZT4
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ST
原廠原裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

STGB7NB40LZT4
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
ST
D2PAK
05+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STGB7NB40LZT4
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
IGBT 430V 14A 100W ...

STGB7NB40LZT4
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6200
ST
TO-220
0515+
-
全新原裝現(xiàn)貨

STGB7NB40LZT4
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3526
ST
D2PAK
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫(kù)存，400-800-03...

STGB7NB40LZT4
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
5000
STM
ROHS
13+
-
全新原裝現(xiàn)貨庫(kù)存！400-800-030...

STGB7NB40LZT4
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號(hào)賽格科技園4棟中10層10A19
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6000
ST
D2PAK
22+
-
十年配單，只做原裝

STGB7NB40LZT4
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
D2PAK
最新批號(hào)
-
代理此型號(hào)，原裝正品現(xiàn)貨！

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功能描述
IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 14 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB7NB40LZT4 技術(shù)參數(shù)

STGB7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):28A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.95V @ 15V，7A 功率 - 最大值:88W 開(kāi)關(guān)能量:99μJ（開(kāi)），100μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:46nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:30ns/160ns 測(cè)試條件:400V，7A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:136ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-263（D2Pak）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB6NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開(kāi)關(guān)能量:20μJ（開(kāi)），68μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/76ns 測(cè)試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB6NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開(kāi)關(guān)能量:20μJ（開(kāi)），68μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/76ns 測(cè)試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB6NC60HD-1 功能描述:IGBT 600V 15A 56W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開(kāi)關(guān)能量:20μJ（開(kāi)），68μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:12ns/76ns 測(cè)試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 安裝類(lèi)型:通孔供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 STGB5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開(kāi)關(guān)能量:56μJ（開(kāi)），78.5μJ（關(guān)）輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:43nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:30ns/140ns 測(cè)試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ STGD20N40LZ STGD20N45LZAG STGD25N40LZAG STGD3HF60HDT4 STGD3NB60FT4 STGD3NB60HDT4 STGD3NB60SD-1

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