STGB18N40LZT4

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功能描述
IGBT 晶體管 EAS 180 mJ-400 V
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB18N40LZT4 技術(shù)參數(shù)

STGB15M65DF2 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:136W 開關(guān)能量:90μJ（開），450μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:45nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:24ns/93ns 測試條件:400V，15A，12 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:142ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB15H60DF 功能描述:IGBT 600V 30A 115W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，15A 功率 - 最大值:115W 開關(guān)能量:136μJ（開），207μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:81nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:24.5ns/118ns 測試條件:400V，15A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:103ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB14NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 開關(guān)能量:82μJ（開），155μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:34.4nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:22.5ns/116ns 測試條件:390V，7A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB14NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，7A 功率 - 最大值:80W 開關(guān)能量:82μJ（開），155μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:34.4nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:22.5ns/116ns 測試條件:390V，7A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:37ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB12NB60KDT4 功能描述:IGBT 600V 30A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.8V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 開關(guān)能量:258μJ（關(guān)）輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:54nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:25ns/96ns 測試條件:480V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:80ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STGB20NB37LZ STGB20NB37LZT4 STGB20NB41LZT4 STGB20NC60V STGB20NC60VT4 STGB20V60DF STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4