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STL140

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  • STL140N4F7AG 其他被動元件
    STL140N4F7AG 其他被動元件

    STL140N4F7AG 其他被動元件

  • 深圳市亞泰盈科電子有限公司
    深圳市亞泰盈科電子有限公司

    聯(lián)系人:鄭小姐

    電話:15338868823

    地址:公司地址:★★深圳市福田區(qū)佳和大廈B座1410-1411

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ST/意法

  • DFN5X6

  • 20+

  • -
  • STL140B
    STL140B

    STL140B

  • 深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司
    深圳市金嘉旭貿(mào)易有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-832599640755-23884416

    地址:中航北苑A座7A5

  • 1293

  • ITT

  • N/A

  • 18+

  • -
  • 進口原裝特價出售

  • STL140N4F7AG
    STL140N4F7AG

    STL140N4F7AG

  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯(lián)系人:李瑞兵

    電話:18897698645

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • ST

  • 22+

  • -
  • 原裝正品

  • STL140N4F7AG
    STL140N4F7AG

    STL140N4F7AG

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯(lián)系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號 富源商貿(mào)中心D棟601

  • 400

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 0.78706 USD,szpoweri...

STL140 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STL140 技術(shù)參數(shù)
  • STL13NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):385 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標準包裝:1 STL13N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):475 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):590pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL13N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):420 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):580pF @ 100V 功率 - 最大值:55W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL13N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.350 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):370 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):730pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL13DP10F6 功能描述:MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 1.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):864pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL15N60M2-EP STL15N65M5 STL-1-600-3-01 STL-1-600-8-01 STL160N3LLH6 STL160N4F7 STL160NS3LLH7 STL16N1VH5 STL16N60M2 STL16N65M2 STL16N65M5 STL-1-750-3-01 STL-1-750-8-01 STL17N3LLH6 STL17N65M5 STL18N55M5 STL18N60M2 STL18N65M2
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