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PMPB23XNEZ MOS(場效應(yīng)管)
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60000
NEXPERIA/安世
SOT1220
-
授權(quán)代理/原廠FAE技術(shù)支持

PMPB23XNEZ
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
61779
Nexperia
SMD
22+
-
優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

PMPB23XNEZ
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
NEXPERIA/安世
SOT1220
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

PMPB23XNEZ
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 7A 6
22+
-

PMPB23XNEZ
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
61000
NEXPERIA/安世
SOT1220
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

PMPB23XNEZ
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
Nexperia
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

PMPB23XNEZ
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
PHA
SOT1220
15+
-
原裝正品，價格優(yōu)勢！

PMPB23XNEZ
深圳市信通吉電子有限公司
深圳市信通吉電子有限公司
聯(lián)系人：馮
電話：17841084408
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20
38000
Nexpe原裝正品
SOT1220
19+
-
香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

PMPB23XNEZ
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3009
NXP
SOT1220
2237+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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您是不是要找： PMPB25ENEAX PMPB27EP,115 PMPB29XNE,115 PMPB29XPE,115 PMPB33XN,115 PMPB33XP,115 PMPB40ENAX PMPB40SNA,115 PMPB43XPE,115

PMPB23XNEZ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)

PMPB23XNEZ PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN2020MD
制造商
nexperia usa inc.
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
7A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
900mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
17nC @ 10V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1136pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.7W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
22 毫歐 @ 7A，4.5V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝
6-DFN2020MD（2x2）
封裝/外殼
6-UDFN 裸露焊盤
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

PMPB23XNEZ 技術(shù)參數(shù)

PMPB23XNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1136pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 7A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB20XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.2A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:45nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:294pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23.5 毫歐 @ 7.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB20XNEAX 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:930pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）, 12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 7.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB20UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6.6A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB20SNAX 功能描述:MOSFET N-CH 40V 8A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:460pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB45EPAX PMPB47XP,115 PMPB48EP,115 PMPB50ENEAX PMPB55ENEAX PMPB55XNEAX PMPB85ENEA/FX PMPB85ENEAX PMPB95ENEA/FX PMPB95ENEAX PMP-BUCKET PMPF-1P PMPF-1PF PMR01ZZPJ000 PMR01ZZPJU10L PMR03EZPFU10L0 PMR03EZPJ000 PMR03EZPJU10L