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PMR18EZPJV3L0

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  • 型號
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  • 封裝
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  • PMR18EZPJV3L0
    PMR18EZPJV3L0

    PMR18EZPJV3L0

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Rohm Semiconductor

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • PMR18EZPJV3L0
    PMR18EZPJV3L0

    PMR18EZPJV3L0

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 100

  • ROHM

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
PMR18EZPJV3L0 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • RES .003 OHM 3/4W 5% 1206 SMD
  • RoHS
  • 類別
  • 電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
  • 系列
  • PMR18
  • 特色產(chǎn)品
  • CSR Series Chip Resistors
  • 標準包裝
  • 2,000
  • 系列
  • CSR
  • 電阻(歐姆)
  • 0.01
  • 功率(瓦特)
  • 1W
  • 復合體
  • 金屬元素
  • 特點
  • 電流檢測
  • 溫度系數(shù)
  • ±50ppm/°C
  • 容差
  • ±1%
  • 封裝/外殼
  • 1206(3216 Metric),Strip
  • 尺寸/尺寸
  • 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度
  • 0.024"(0.60mm)
  • 端子數(shù)
  • 2
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 其它名稱
  • CSR1206-0R01F1TR
PMR18EZPJV3L0 技術參數(shù)
  • PMR10RI 功能描述:SENS PHOTO 10M SPDT 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 感應距離:393.701"(10m) 感應方法:反射 輸出類型:- 響應時間:20ms,30ms 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊,導線引線 工作溫度:-25°C ~ 55°C 標準包裝:1 PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):14.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta),15.6W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 2.8A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):56 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.7A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):26nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 4.7A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):21nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):58 毫歐 @ 4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMR209MC6100M470R30 PMR209MC6220M022R30 PMR209MC6220M047R30 PMR209MC6220M100R30 PMR209MC6220M220R30 PMR209ME6470M047R30 PMR209ME6470M100R30 PMR209ME6470M220R30 PMR210MB5220M100R30 PMR210ME6100M100R30 PMR-2331 PM-R24 PM-R24-C3 PM-R24P PM-R24-R PM-R25 PM-R25-C3 PMR25HZPFU5L00
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