PMR10RI

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

PMR10RI
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
7810
Carlo Gavazzi Inc.
SENS PHOTO 10M SPDT
22+
-
原裝正品現(xiàn)貨有貨

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1

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功能描述
SENS PHOTO 10M SPDT
制造商
carlo gavazzi inc.
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
在售
感應(yīng)距離
393.701"（10m）
感應(yīng)方法
反射
輸出類型
-
響應(yīng)時(shí)間
20ms，30ms
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊，導(dǎo)線引線
工作溫度
-25°C ~ 55°C
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1

PMR10RI 技術(shù)參數(shù)

PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.8A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:14.9nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），15.6W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 2.8A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:56 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.7A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:26nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta），12.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB45EPAX 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:36nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:15W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD（2x2）封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR18EZPJU10L PMR18EZPJU5L0 PMR18EZPJU6L0 PMR18EZPJU7L0 PMR18EZPJU8L0 PMR18EZPJU9L0 PMR18EZPJV2L0 PMR18EZPJV3L0 PMR18EZPJV4L0 PMR205AC6470M047R30 PMR205AC6470M220R30 PMR209MB5470M047R30 PMR209MB5470M100R30 PMR209MC6100M022R30 PMR209MC6100M047R30 PMR209MC6100M100R30 PMR209MC6100M220R30 PMR209MC6100M470R30