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品牌:IXYS 最大反向電壓:600 型號:DSEI8-06A 類別:直插 結(jié)構(gòu):面接觸型 封裝形式:TO-220 材料:其他 封裝材料:金屬封裝 電流容量:小功率 最大整流電流:8
[廣東 深圳市]
型號:DB107 廠家:Rectron 封裝:DB-1
[廣東 深圳市]
型號:MBRB20200CT 廠家:Diodes Incorporated 批號:23+ 封裝:TO-263
[廣東 深圳市]
品牌:ONSEMI 型號:MMSD4148T1G 封裝形式:SOD-123
[廣東 地市級]
型號:MBRA340T3G 廠家:onsemi 批號:22+ 封裝:DO-214AC，SMA
[廣東 地市級]
型號:BAV99LT1G 廠家:onsemi 封裝:SOT23-3
[廣東 深圳市]
型號:MBRA2H100T3G 廠家:onsemi 封裝:SMA
[廣東 深圳市]
型號:1N4007RLG 廠家:ONS 批號:2013+ 封裝:DO-41
[廣東 深圳市]
型號:DB107 廠家:SEP 批號:15+ 封裝:DIP4
[廣東 深圳市]
型號:LL4148 廠家:Vishay/ST 批號:14+ 封裝:SOD-80
[廣東 深圳市]
型號:B340B-13-F 廠家:DIODES INC. 批號:23+ 封裝:NA
[北京 北京市轄區(qū)]
型號:IR1161LTRPBF 廠家:Infineon Technologies 封裝:NA
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:Toshiba 型號:TRS12A65F,S1Q
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:INFINEON 型號:BAT60AE6327HTSA1
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:INFINEON 型號:BAS5202VH6327XTSA1
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:Infineon 型號:BAT6404E6327HTSA1
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:Diodes Incorporated 型號:DFLS1200-7
[廣東 深圳市]
品牌:ON SEMICONDUCTOR 型號:RS1M 類別:貼片 結(jié)構(gòu):面接觸型 封裝形式:標準封裝 材料:硅 封裝材料:玻璃封裝 電流容量:小功率
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:NEXPERIA 型號:BAS70-04W,115 類別:貼片 結(jié)構(gòu):點接觸型 封裝形式:標準封裝 材料:鍺 封裝材料:金屬封裝 電流容量:大功率
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:ON SEMICONDUCTOR 型號:SS36FA 類別:貼片 結(jié)構(gòu):點接觸型 封裝形式:標準封裝 材料:硅 封裝材料:金屬封裝 電流容量:大功率
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:ON SEMICONDUCTOR 型號:MRA4007T3G 類別:直插 結(jié)構(gòu):點接觸型 封裝形式:SMA(DO-214AC) 材料:鍺 封裝材料:玻璃封裝 電流容量:中功率
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:DIODES INCORPORATED 型號:1N4007-T 類別:貼片 結(jié)構(gòu):點接觸型 封裝形式:標準封裝 材料:硅 封裝材料:玻璃封裝 電流容量:大功率
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:DIODES INCORPORATED 型號:1N4148WQ-7-F 類別:直插 結(jié)構(gòu):點接觸型 封裝形式:標準封裝 材料:硅 封裝材料:金屬封裝 電流容量:大功率
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:ON SEMICONDUCTOR 封裝材料:玻璃封裝 型號:1N4148WS 類別:直插 結(jié)構(gòu):擴散型 封裝形式:標準封裝 材料:鍺 極性:NPN型 電流容量:中功率 頻率類型:高頻
[北京 北京市轄區(qū)]
品牌:NEXPERIA 型號:PMEG4010BEA,115 類別:貼片 結(jié)構(gòu):點接觸型 封裝形式:標準封裝
[北京 北京市轄區(qū)]
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