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SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3
深圳市悅興晨電子科技有限公司
深圳市悅興晨電子科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：０７５５-８２８１２００４82811605
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室柜臺號新亞洲二期N2B227
30000
VISHAY
原廠封裝
2023+
-
進口原裝假一賠十

SIR802DP-T1-GE3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現(xiàn)貨電話010-62104...

SIR802DP-T1-GE3
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
15000
VIS
VFDFPN8
15+
-
全新原裝現(xiàn)貨

SIR802DP-T1-GE3
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯(lián)系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室
3486
VISHAY
原廠
21+
-
百分百進口原裝現(xiàn)貨，價格有優(yōu)勢。

SIR802DP-T1-GE3
深圳市科翼源電子有限公司
深圳市科翼源電子有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：13510998172
地址：振華路100號深紡大廈C座2樓E16
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3938
VISHAY
PowerPAK-SO-8
24+
-
原廠原裝正品現(xiàn)貨

SIR802DP-T1-GE3
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3689
VISHAY
QFN
2211+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

SIR802DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)

SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:120° 朝向:通用工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，J 形引線標準包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:2,000 SIR836DP-T1-GE3 SIR838DP-T1-GE3 SIR840DP-T1-GE3 SIR844DP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-RE3 SIR846DP-T1-GE3 SIR850DP-T1-GE3 SIR862DP-T1-GE3 SIR864DP-T1-GE3 SIR866DP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-RE3 SIR870DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-RE3 SIR872DP-T1-GE3