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STL28N60DM2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • STL28N60DM2
    STL28N60DM2

    STL28N60DM2

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人:林先生

    電話:135-3814-2003

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 11617

  • ST(意法)

  • 原裝正品

  • 23/24+

  • -
  • 只做原裝正品 假一賠十 現(xiàn)貨

  • STL28N60DM2
    STL28N60DM2

    STL28N60DM2

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 200

  • ST

  • PowerFLAT

  • 22+

  • -
  • 每一片都來(lái)自原廠,正品保證

  • STL28N60DM2
    STL28N60DM2

    STL28N60DM2

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-8279802015814679726(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 36890

  • ST

  • PowerFLAT

  • 21+原廠授權(quán)

  • -
  • STL28N60DM2
    STL28N60DM2

    STL28N60DM2

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 10000

  • ST

  • DIP/SOP

  • 19+

  • -
  • 公司全新原裝正品,QQ153058080...

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  • 1
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STL28N60DM2 技術(shù)參數(shù)
  • STL26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.7A(Ta),19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):185 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1800pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL260N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):260A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 22.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):61.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6375pF @ 25V 功率 - 最大值:166W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL25N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):205 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1090pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL25N15F4 功能描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):63 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2710pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(6x5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL25N15F3 功能描述:MOSFET N-CH 150V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):57 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(6x5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL33N60M2 STL33N65M2 STL-3-450-3-01 STL-3-450-8-01 STL34N65M5 STL-350-3-01 STL-350-8-01 STL35N15F3 STL35N6F3 STL-3-600-3-01 STL-3-600-8-01 STL36DN6F7 STL36N55M5 STL-3-750-3-01 STL-3-750-8-01 STL38N65M5 STL3N10F7 STL3N65M2
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