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VL-F20-2EBN

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    VL-F20-2EBN

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • VersaLogic Corporation

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
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VL-F20-2EBN 技術(shù)參數(shù)
  • VL-F20-1SBN 功能描述:1GB DISKONMODULE STD TEMP 制造商:versalogic corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 配件類(lèi)型:存儲(chǔ)器模塊 規(guī)格:1GB 閃存 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VL-F20-1EBN 功能描述:1GB DISKONMODULE EXT TEMP 制造商:versalogic corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 配件類(lèi)型:存儲(chǔ)器模塊 規(guī)格:8GB 閃存 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VL-F15-8EBN 功能描述:EXPANSION MOD SSD 8GB EUSB IND 制造商:versalogic corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 配件類(lèi)型:存儲(chǔ)器模塊 規(guī)格:8GB eUSB 模塊（USB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VLF12060T-6R8N7R2 功能描述:6.8μH Shielded Wirewound Inductor 7.2A 13.1 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.8μH 容差:±30% 額定電流:7.2A 電流 - 飽和值:7.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:13.1 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.472" 長(zhǎng) x 0.461" 寬（12.00mm x 11.70mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VLF12060T-680M2R3 功能描述:68μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:tdk corporation 系列:VLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:68μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.472" 長(zhǎng) x 0.461" 寬（12.00mm x 11.70mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.236"（6.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 VL-F23-2ECN VL-F23-4EBN VL-F23-4ECN VLF252010MT-100M VLF252010MT-100M-CA VLF252010MT-150M VLF252010MT-150M-CA VLF252010MT-1R0N VLF252010MT-1R0N-CA VLF252010MT-1R5N VLF252010MT-1R5N-CA VLF252010MT-220M VLF252010MT-220M-CA VLF252010MT-2R2M VLF252010MT-2R2M-CA VLF252010MT-3R3M VLF252010MT-3R3M-CA VLF252010MT-4R7M
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