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BSD223P L6327

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • BSD223P L6327
    BSD223P L6327

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  • 深圳市新良宇電子有限公司
    深圳市新良宇電子有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8323763213302457603

    地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室

  • 56912

  • Infineon Technologies

  • MOSFET 2P-CH 20V 390

  • 23+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨歡迎來(lái)電查詢！

  • BSD223P L6327
    BSD223P L6327

    BSD223P L6327

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 638850

  • INFINEON

  • SOT-363

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，價(jià)格超越代理！

  • BSD223P L6327
    BSD223P L6327

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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 9250

  • INFINEON

  • SOT-363

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠，正品保證

  • BSD223P L6327
    BSD223P L6327

    BSD223P L6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • BSD223P L6327
    BSD223P L6327

    BSD223P L6327

  • 深圳市軒盛達(dá)電子有限公司
    深圳市軒盛達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共31條 
  • 1
BSD223P L6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH -20 V -.35 A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSD223P L6327 技術(shù)參數(shù)
  • BSD223P 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:390mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD214SNH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSD214SN L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT-363 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.8nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:143pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT363-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSD-08BFFM-SR6A10 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSD-08BFFM-SR6A05 功能描述:STANDARD 制造商:amphenol ltw 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSD340NH6327XTSA1 BSD816SNH6327XTSA1 BSD816SNL6327HTSA1 BSD840N L6327 BSD840NH6327XTSA1 BSE-020-01-C-D BSE-020-01-C-D-A BSE-020-01-C-D-A-TR BSE-020-01-C-D-LC BSE-020-01-F-D BSE-020-01-F-D-A BSE-020-01-F-D-A-FL BSE-020-01-F-D-A-FL-TR BSE-020-01-F-D-A-K-TR BSE-020-01-F-D-A-TR BSE-020-01-F-D-EM2 BSE-020-01-F-D-EM2-GP BSE-020-01-H-D
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