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CSD18514Q5A

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生 13360533550

    電話:0755-83289799

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路漢國(guó)城市商業(yè)中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 34027

  • TI(德州儀器)

  • 22+

  • -
  • 原裝原廠現(xiàn)貨

  • CSD18514Q5AT
    CSD18514Q5AT

    CSD18514Q5AT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 29267

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 18200

  • TI

  • VSONP-8

  • 2022+

  • -
  • 十年芯途,只做原裝,實(shí)單可以支持。075...

  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:8296641615986789713

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號(hào)深紡大廈C座1A層1A621室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • TI/德州儀器

  • VSONP-8

  • 19+

  • -
  • 只做原裝,假一賠十

  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

  • 深圳市暢洲科技有限公司
    深圳市暢洲科技有限公司

    聯(lián)系人:吳小姐

    電話:852906044930755-82762262

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)深南中路3018號(hào)都會(huì)軒2506

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • TI(德州儀器)

  • VSONP-8

  • 22+

  • -
  • 全新原裝正品

  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-8279802015814679726(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強(qiáng)街道賽格廣場(chǎng)55樓5566室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 36890

  • TI只做原裝

  • VSONP-8

  • 21+原廠授權(quán)

  • -
  • CSD18514Q5A
    CSD18514Q5A

    CSD18514Q5A

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TI

  • VSONP8

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共2條 
  • 1
CSD18514Q5A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 40V N CH MOSFET
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
  • 89A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 40nC @ 20V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 74W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
  • 7.9 毫歐 @ 15A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-VSONP(5x6)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD18514Q5A 技術(shù)參數(shù)
  • CSD18513Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):124A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4280pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):96W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.3 毫歐 @ 19A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18512Q5B 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):211A (Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):7120pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):139W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON-CLIP(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18511Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):159A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):63nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):104W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 24A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18511KTTT 功能描述:40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):110A(Ta),194A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5940pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):188W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線 + 接片),TO-263AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18510Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):300A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):153nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):156W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):0.96 毫歐 @ 32A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON-CLIP(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18541F5T
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