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CSD18532Q5BT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • CSD18532Q5BT
    CSD18532Q5BT

    CSD18532Q5BT

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD18532Q5BT
    CSD18532Q5BT

    CSD18532Q5BT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2500

  • TI

  • VSON-CLIP8

  • 15+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD18532Q5BT
    CSD18532Q5BT

    CSD18532Q5BT

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：2394575513590206539

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 12800

  • TI

  • VSON

  • 2022+

  • -

  • 原裝正品，公司現(xiàn)貨庫存假一罰十，電話：0...

  • CSD18532Q5BT
    CSD18532Q5BT

    CSD18532Q5BT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • Ti

  • (DNK)

  • 21

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
CSD18532Q5BT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 100A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 4.5V，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 58nC @ 10V
  • Vgs（最大值）
  • ±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 5070pF @ 30V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • 3.2W（Ta），156W（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 3.2 毫歐 @ 25A，10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 8-VSON（5x6）
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CSD18532Q5BT 技術(shù)參數(shù)
  • CSD18532Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.2 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5070pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18532NQ5BT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5340pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18532NQ5B 功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5340pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18532KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4680pF @ 30V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18531Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.6 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3840pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSONP（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18541F5T CSD18542KCS CSD18542KTT CSD18542KTTT CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD19501KCS
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