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CSD19506KCS

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD19506KCS
    CSD19506KCS

    CSD19506KCS

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Texas Instruments

  • 標準封裝

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • CSD19506KCS
    CSD19506KCS

    CSD19506KCS

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TEXAS INS

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • CSD19506KCS
    CSD19506KCS

    CSD19506KCS

  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

    聯(lián)系人：優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨代理商

    電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生

    地址：深圳市福田區(qū)工發(fā)路上步管理大廈501棟501室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 53189

  • Texas Instruments

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 優(yōu)勢代理，公司現(xiàn)貨可開票

  • CSD19506KCS
    CSD19506KCS

    CSD19506KCS

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：0755-8308997518573537851

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • Ti

  • TO-220 (KCS)

  • 19

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共23條 
  • 1
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  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 功能描述
  • 80V, N-CHANNEL NEXFET(TM) POWER MOSFET - Rail/Tube
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 80V TO-220-3
CSD19506KCS 技術(shù)參數(shù)
  • CSD19505KTT 功能描述:MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:200A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.1 毫歐 @ 100A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7920pF @ 40V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-4，D2Pak（3 引線+接片），TO-263AA 供應(yīng)商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 標準包裝:1 CSD19505KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 150A TO-220 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:150A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 100A，6V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7820pF @ 40V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19503KCS 功能描述:MOSFET N-CH 80V 94A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.2 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2730pF @ 40V 功率 - 最大值:188W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD19502Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD19502Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.1 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4870pF @ 40V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON（5x6） 標準包裝:1 CSD19533KCS CSD19533Q5A CSD19533Q5AT CSD19534KCS CSD19534Q5A CSD19534Q5AT CSD19535KCS CSD19535KTT CSD19535KTTT CSD19536KCS CSD19536KTT CSD19536KTTT CSD19537Q3 CSD19537Q3T CSD19538Q2 CSD19538Q2T CSD19538Q3A CSD19538Q3AT
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