DMJ70H600SH3

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

DMJ70H600SH3
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889159
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
isc,iscsemi
IPAK/TO-251
2024+
-
國產品牌，可替代原裝

DMJ70H600SH3
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30
69880
DIODES/美臺
NA
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

DMJ70H600SH3
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質：營業(yè)執(zhí)照
60510
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 651V 8
22+
-

DMJ70H600SH3
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
1899
DIODES
NA
近兩年
-
查價格、訂購可到京北通宇商城www.jb...

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您是不是要找： DMJ70H601SK3-13 DMJ70H601SV3 DMJ70H900HJ3 DMJ7N70SK3-13 DMJT9435-13 DMKP075BG-180 DMKP125BG-180 DMKP187BG-180 DML1005LDS-7

DMJ70H600SH3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

DMJ70H600SH3 技術參數(shù)

DMHE001 功能描述:DSUB 9 METAL DIE CAST B/S 制造商:cinch connectivity solutions 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:1 DMHA14R5V353M4ATA0 功能描述:SUPERCAPACITOR 制造商:murata electronics north america 系列:DMH 包裝:托盤零件狀態(tài):在售電容:35mF 容差:±20% 電壓 - 額定:4.5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:300 毫歐 @ 1kHz 不同溫度時的使用壽命:- 端接:SMD（SMT）凸片安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線引線間距:- 大小/尺寸:0.787" 長 x 0.787" 寬（20.00mm x 20.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.016"（0.40mm）工作溫度:-40°C ~ 85°C 標準包裝:500 DMG8880LSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1289pF @ 15V 功率 - 最大值:1.43W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4712SSS-13 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 11.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2296pF @ 15V 功率 - 最大值:1.55W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 DMG4468LFG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.62A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 11.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.85nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:867pF @ 10V 功率 - 最大值:990mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerUDFN 供應商器件封裝:DFN3030-8 標準包裝:1 DML1006LDS-7 DML1007LDS-7 DML1008LDS-7 DML1009LDS-13 DML1009LDS-7 DML10M8LDS-13 DML3006LFDS-7 DML3009LDC-7 DML-430A DML-430A-C DM-LX3-1 DMM1P15K-F DMM1P22K-F DMM1P33K-F DMM1P47K-F DMM1P68K-F DMM1W10K-F DMM1W1K-F