1N5260BDI

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1N5260BDI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層
5000
DIODES
DO-35
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

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1N5260BDI 技術(shù)參數(shù)

1N5260B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:10,000 1N5260B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:1 1N5260B TR 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:1 1N5260B BK 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:2,500 1N5260B A0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 200mA 工作溫度:100°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:5,000 1N5260C-TAP 1N5260C-TR 1N5260TA 1N5261A 1N5261A (DO-35) 1N5261A(DO-35) 1N5261B 1N5261B (DO-35) 1N5261B A0G 1N5261B BK 1N5261B TR 1N5261B_T50A 1N5261B_T50R 1N5261B-T 1N5261BTA 1N5261B-TAP 1N5261B-TP 1N5261B-TR