1SS400 /A

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1SS400 /A 技術參數

1SS399TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 400V 100MA SC61B 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 400V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-61AA 供應商器件封裝:SC-61B 標準包裝:1 1SS398TE85LF 功能描述:DIODE ARRAY GP 400V 100MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管配置:1 對串聯二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 400V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 1SS397TE85LF 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:500ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SC-70 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS396,LF 功能描述:DIODE SCHOTKY 40V 70MA SMINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):新產品二極管配置:1 對串聯二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:70mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:360mV @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 40V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:S-Mini 標準包裝:1 1SS394TE85LF 功能描述:DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:10V 電流 - 平均整流（Io）:100mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:500mV @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 10V 不同?Vr，F 時的電容:40pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SC-59 工作溫度 - 結:125°C（最大）標準包裝:1 1SS400T1 1SS400T1G 1SS400T5G 1SS400TE61 1SS400-TP 1SS401(TE85L,F) 1SS402TE85LF 1SS403,H3F 1SS404,H3F 1SS405,H3F 1SS412(TE85L,F) 1SS413,L3M 1SS413CT,L3F 1SS416,L3M 1SS416CT,L3F 1SS417,L3M 1SS417CT,L3F 1SS423(TE85L,F)